【新闻大爆炸】谷歌不在?新母公司Alphabet成立

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• 谷歌不在？新母公司Alphabet成立

• 三星拟提前量产48层V-NAND 半导体部门Q3盼刷新纪录
  

• 欧洲也搞7纳米芯片 德国参与研发

• 比硅基材料快10倍的新材料出现 有望带来超快全光通讯
  

• 编辑丨by scott

1、谷歌不在？新母公司Alphabet成立

谷歌于周一收盘后意外宣布，将成立新的母公司Alphabet, Inc。新公司由拉里•佩奇（Larry Page）继续担任CEO一职，而当前的谷歌公司则将向Alphabet汇报财务。此外，原谷歌高级副总裁桑达尔•皮查伊（Sundar Pichai）将出任新谷歌公司CEO一职。

新的Alphabet公司将会是一家控股集团，旗下子公司将包括当前的谷歌，以及此前由谷歌独立出来的研究机构Calico，后者旗下还包括了谷歌风投、谷歌资本控制、谷歌X研发工作室等其他分支部门。

佩奇将出任Alphabet的CEO，而谷歌另一创始人谢尔盖·布林（Sergey Brin）则将出任新公司总裁一职。谷歌现任首席财务官露丝·波拉特（Ruth Porat）继续担任CFO，而原谷歌高级副总裁桑达尔·皮查伊则将出任新谷歌的CEO一职。

佩奇解释说，重组公司的主要目的是扩大管理范围，独立运营一些并不非常相关的业务。他会为每个子公司挑选新的强有利的CEO，确定他们的薪酬水准，而他与布林将在所需时提供建议咨询。得益于新公司架构，谷歌两位联合创始人将更加专注于原先谷歌内部的新机遇。

正如他与布林11年前创办公司时所写的，“谷歌并不是一家常规意义上的公司，我们也不打算成为普通公司。……谷歌会小范围投资哪些与当前业务相比，看起来极具风险甚至奇怪的领域。”

实际上，皮猜的职权范围去年10月就已经获得极大提升，他负责了谷歌互联网业务的产品与工程工作。佩奇表示，“我与布林都对皮猜取得的进展表示非常激动……我们与董事会都认为，如今是皮猜出任谷歌CEO职位的时候了。”

佩奇解释说，新公司命名为Alphabet的原因是这是语言文字字母的集合，而语言是人类最为重要的创新，也是谷歌搜索的索引核心。同时，Alpha也有投资回报的意思，佩奇表示会尽力给投资者带来回报。

编辑点评

这则新闻的意思很明确，谷歌要大张旗鼓的搞“多元化经营”了，所以，如果以后这个新Alphabet商标出现在卫浴上，大家也不要奇怪。

2、三星拟提前量产48层V-NAND 半导体部门Q3盼刷新纪录

三星电子（Samsung Electronics）对半导体攻击性投资，最快第3季内将可推出三代48层堆叠的V-NAND存储器。这将成为大幅提升成本竞争力的契机。三星半导体部门第2季睽违5年，打平营业利益3.4兆韩元（约29亿美元）纪录，第3季将挑战刷新纪录。

据韩国Edaily报导，三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。

韩国业者透露，目前存储器芯片市场的不安感尚未解除，但三星将透过扩大20纳米DRAM和V-NAND及10纳米级NAND的比重，大幅改善获利性，三星可望持续独大存储器芯片市场。韩国证券业界推估，三星第3季半导体部门营业利益可较第2季的3.4兆韩元增加10%以上。

三星的先导投资，也让业绩展望更乐观。第2季三星对半导体事业投资3.2兆韩元，2015年对半导体领域的投资规模，将超过14兆韩元。三星2014年率先量产20纳米DDR4 DRAM和3D NAND，巩固全球一哥地位。

三星第2季整体营业利益6.9兆韩元中，半导体事业的营业利益占5成以上。半导体事业营益率也较第1季的28.6%增加1.5个百分点，为30.1%。

编辑点评

三星半导体已经有了处理器，有了存储器，还有了工艺，就差模拟芯片，就能通吃半导体行业了。

3、欧洲也搞7纳米芯片 德国参与研发

德国联邦教研部和欧盟委员会相关负责人于近日共同启动了欧洲研究项目“七纳米技术”（SeNaTe）。该项目旨在开发更小、更紧凑的集成电路，从而大幅度提高芯片的计算能力。来自科学界和工业界的42个欧洲伙伴共同合作，将集成电路的结构尺寸缩小到目前最好芯片尺寸的一半。

“七纳米技术”是欧洲研究计划“欧洲领先电子元件和系统”（ECSEL）的一部分，其目标是开发高精度、高速机、生产工艺和高精度测量技术，这些技术将在只有七纳米宽的下一代芯片生产中得到应用。七个纳米是目前可用的最好芯片尺寸的一半，甚至是10年前的十分之一。项目的重点之一是开发芯片结构的新型平版印刷设施，先前使用的光学透镜必须由复杂的镜像系统所取代。德国最大的合作伙伴Carl Zeiss SMT有限公司将在项目中开发这些新的组件。

该项目将持续到2018年，在欧洲范围内共有研发经费1.81亿欧元。德国联邦教研部和欧盟委员会共资助1400万欧元，以推动16个德国合作伙伴参与该项目。

编辑点评

欧洲半导体有技术，有资金，差的就是统一协调的指挥，如果真能完美组合，那将是不可小觑的力量。

4、比硅基材料快10倍的新材料出现 有望带来超快全光通讯

美国普渡大学研究人员开发出一种新的“等离子氧化材料”，有望带来超快全光通讯技术，至少比传统技术要快10倍。相关论文发表在近期美国光学协会的《光学》杂志上。

研究人员证明了铝掺杂氧化锌（AZO）制造出的光学薄膜材料是可调制的。他们用铝掺杂氧化锌，在氧化锌中浸满了铝原子以改变材料的光学性质，使它在特定波长下变得像一种金属，而在其他波长下像高电阻介质。

AZO薄膜的折射率接近于零，它能利用电子云状的表面等离激元来控制光。脉冲激光会改变AZO的折射率，从而调制反射光的量。这种材料能在近红外光谱范围工作，可用在光通讯中，并与互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容。

研究人员的设想是利用这种材料来创造一种“全光等离子调制器”，或叫光学晶体管。在电子设备中，硅基晶体管负责开关电源、放大信号。光学晶体管是用光而不是电来执行类似任务，会使系统运行大大加速。

用脉冲激光照射这种材料，材料中的电子会从一个能级（价带）移动到更高能级（导带），留下空穴，并最终与这些空穴再次结合。晶体管开关的速度受限于完成这一周期的时间。在他们的AZO薄膜中，这一周期约为350飞秒，比晶体硅要快约5000倍。把这种速度提升转化到设备中，至少比传统硅基电子设备要快10倍。

编辑点评

超越硅基材料，一直是半导体行业的梦想，虽然前面有很多次失败，但最终会有叩开大门的一天。